متابعة – نغم حسن
طور الخبراء في شركة سامسونج ذواكر تصل سعتها إلى 512 غيغابايت، والتي تمثل قفزة في عالم الحواسيب المتطورة.
وفي هذا الجيل الأحدث من ذواكر الوصول العشوائي، سيكون لكل شريحة منها إمكانيات هائلة لمعالجة البيانات في الحواسب. دون أن تشغل مساحات كبيرة كما هو الحال مع ذواكر الوصول العشوائي الحالية.
https://youtu.be/xfHJI7lWrXY
وتعتمد هذه الذواكر تقنيات High-K Metal Gate التي تستخدم فيها نواقل معدنية بدلا من السيليكون ما يؤمن سرعات عالية في نقل البيانات.
وتشير المعلومات المتوفرة إلى أن هذه الذواكر تصل سرعة نقل البيانات فيها إلى 7200 ميغابيت/ثا. أي أكبر بمقدار الضعف مقارنة بالسرعة الموجودة في ذواكر DDR4 تقريبا.
this is Samsung’s 512GB DDR5 module. Rumor has it that this might be enough RAM for Chrome to live a happy life https://t.co/vhMWy1dJRP pic.twitter.com/V0DSmM3bAd
— Tom Warren (@tomwarren) March 25, 2021
وبفضل التقنيات المتطورة التي حصلت عليها هذه الذواكر فإن استهلاكها للطاقة أقل بمقدار 13% مقارنة بأحدث. ذواكر الوصول العشوائي المطروحة للحواسب حاليا.
ومن المتوقع طرح هذه الذواكر مع الجيل القادم من الحواسب التي ستطلقها سامسونغ وآسوس وإتش بي العام القادم.
